“我已经决定了galaxys6系列手机的发布会必须在五月初进行。”

李在镕把钢笔扣上，声音不大，屋里每个人都听得清清楚楚。

“我要在发布会之前，看到7420顺利流片。双曲面屏加14纳米制程芯片，我要让全世界知道，论智能手机技术，三星才是更强的那个！”

“明白。”

崔振赫起身鞠躬，额头差点碰到桌面。

……

当天晚上，京畿道，器兴园区。

s1产线的工艺工程办公室里灯火通明，十几个工程师围着一张晶圆截面的电镜照片，谁都没说话。

崔振赫推门进来，把外套扔在椅背上。

“说吧，到底卡在哪？”

负责光刻的组长先开口，脸色倒还算轻松。

“光刻这边没问题。asml派来的六个工程师一直驻场，双重曝光的套刻精度已经稳定住了，比预期提前了两周。”

崔振赫点点头。

这一点他不意外。

三星是asml的大客户，又不在任何人的制裁名单上，荷兰人恨不得把最好的工程师都塞过来。

可是转过头，他就看见负责栅极工艺的朴正宇把那张电镜照片推到了自已面前。

“常务，问题出在后栅极。”

朴正宇指着照片上鳍片之间那道细缝。

“finfet的鳍片太窄，我们先做假栅再挖掉回填金属，金属根本灌不满。您看这里，全是空洞。这一批晶圆，有效良率不到百分之五。”

崔振赫盯着那几个黑点看了很久。

百分之五，这跟没做出来没什么两样。

“这个问题，雷霆工业是怎么解决的？”

他忽然问了一句。

办公室里安静了一下，有个年轻工程师小声接话。

“业内传，他们那边的栅极方案，是梁锰颂带队搞的。”

崔振赫心里一沉。

梁锰颂这个名字，他太熟了。

当年对方从台积电离职的时候，三星电子不是没接触过，只是因为雷霆工业的截胡，最后没能拿下。

现在回头看，那一次的失手，他们的损失恐怕比任何人想象的都大。

“他们在花旗国的实体清单上受到技术限制，没有asml的人在现场辅助。”

朴正宇苦笑了一声。

“而我们什么都有的情况下，结果14纳米制程的量产时间却慢了半年时间，只能说是技不如人。”

这句话说完，屋里几个人都别开了眼睛。

崔振赫没骂人。

他知道朴正宇说的是实话，而且这话放在现场的所有工程师心里，都扎得生疼。

“还有别的路吗？”

他压下心里那点烦躁，直接问。

朴正宇犹豫了一下。

“有。改回前栅极。”

“我们在28纳米上用过前栅极，工艺包是现成的。先做高k金属栅，再做源漏，不需要回填，空洞问题能直接绕过去。按照模拟，两周之内就能把良率拉到可以流片的水平。”

“代价呢？”

朴正宇没有马上回答，而是从文件夹里抽出一份报告。

“前栅极的金属栅要扛住后面源漏退火的高温，功函数会漂移。在finfet结构下，这个漂移会被放大。”

“具体表现就是，芯片在高负载、高温状态下，漏电会明显上升，功耗会比设计值高出一截。时间长了，部分晶体管的阈值电压还可能出现偏移。”