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第1126章 没有集成基带,所以功耗更高

“陈总,不好意思,实验室那边在跑一组频率稳定性测试,走不开。”

“没事,坐。”

陈星指了一下沙发,陆远江在俞学林旁边坐下。

“陆教授,俞总刚跟我说了h3的热阈值调试还在进行,目前还有问题?”

陆远江点了下头,没有任何遮掩。

“是的,坦白说问题比我预期的要顽固一些。”

“具体说说。”

“陈总,那我直说了,芯片主频拉到以后,功耗和发热确实到了一个比较极限的位置。”

“芯片主频越高,需要的核心电压越高。cpu的功耗和电压的平方成正比,同时和频率成正比。”

“hpm工艺本身的特点就是静态漏电流比lp工艺更大,主频越往上拉,越逼近工艺极限频率,晶体管的漏电就越厉害。”

“通俗点说,就是芯片在什么都不干的时候,也在发热。”

陈星点头,这些基础原理他也清楚。

俞学林插了一句,“空闲都在发热?那干活的时候岂不是……”

“所以问题就在这里。”陆远江把笔放下,“对比膏通骁龙800的到我们的,频率提升了大约13%,但核心电压也相应提升了,综合下来功耗上涨了20%到30%之间。”

“这就是发热的根源之一。”

陈星没说话,等他继续往下讲。

陆远江搓了搓手,“我们团队做了一组和骁龙800的详细对比数据,陈总你看一下。”

“骁龙800这颗soc,短时峰值功耗大约在4.2到4.5瓦之间,可持续稳定释放在2.8到3.2瓦。”

“我们凌霄h3呢,可持续稳定释放是3.3到3.5瓦。这个差距不大,在可接受范围内。”

陈星和俞学林对视了一眼,峰值功耗压得比骁龙低,说明芯片本身的能效比不错,起码比膏通的骁龙800要强。

“日常轻负载的时候,比如刷围脖、看新闻这种场景,整机soc平均功耗在0.8到1.2瓦。idle空闲的漏电比骁龙800略高一点,这是高频版本晶体管漏电的代价,没法完全消除,只能通过调度策略去缓解。”

说到这里,陆远江停顿了一下。

“但是!”

“数据上网场景下,问题就出来了。”

“骁龙800在数据上网时,soc加基带的总功耗大约在3.4到3.8瓦。”

“我们凌霄h3呢,同样的场景,总功耗要到4.0到4.4瓦。”

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