甘良才没有多问。

跟着陈星干久了他也摸出了一条规律，有些决定不需要理解原因，只需要执行到位。陈总说这个人必须拿下，那就全力以赴去拿。

还是那句话。

凡是陈总做出的决策，我们都坚决维护。

凡是陈总的指示，我们都始终不渝的遵循。

接下来两个人聊了一些关于春招和秋招的安排。

红星ai团队，gpu团队都是刚起步，基础研发人员缺口很大，何凯明一个人撑不起整个视觉方向。

需要从各大高校批量招收应届博士和硕士，搭建底层的研发梯队。

与此同时，红星半导体化学实验中心。

夏春秋站在自己的工位前，两只手撑在操作台边沿，盯着屏幕上的三维模型。

懂行的朋友看到图片应该就知道到能在硅片上这个孔有多重要了，

这是一个硅片的横截面，放大到微米级别，中间是一个垂直贯穿的圆柱形通孔。

孔壁极其光滑，侧壁角度看起来接近90度，没有任何肉眼可辨的锥度偏差。

底部干净利落，没有残留沉积物。

“六氟化硫进入腔室后，可以电离出一个氟自由基，这些氟自由基就会和裸露出来的硅反应，产生气态四氟化硅。”

“也就是说，硅会被腐蚀掉，然后继续通入八氟环丁烷，八氟环丁烷被电离后又会形成含氟碳自由基，那么这个腔室就会形成一个保护层，通入六氟化硫后，硅就不会被腐蚀了。”

实话实说，为了写这本书，我真的认真学习了很多东西，这个公式以及无冬大师的这个工艺，对后续发展非常重要

“在这个时候我再加入一个电场，会让部分离子高速垂直俯冲，轰击保护膜的底部，这样只有底部的保护膜被打穿，侧边的还会被保留。”

“然后继续重复下去，从理论上来说，用这种化学方式能在硅片上蚀刻出一个贯穿硅片的空洞。”

夏春秋一边自自语，一边在电脑上操作，屏幕上一组化学工艺参数的理论模拟曲线开始变化，沉积速率、刻蚀选择比、侧壁粗糙度、深宽比，四条曲线在某一个参数区间内同时收敛到了目标范围。

全部收敛。

没有一条跑偏。

盯着那个收敛点看了足足两分钟，然后站起来，在实验室里走了两个来回，又坐下来重新看了一遍数据。

“不对，再来一次。”

重新跑了一遍模拟后，还是收敛。

再调，换一组边界条件。

还是收敛。

夏春秋的手抖厉害了，把椅子往后一推

“成了。”

“成了！”

沉积配比搞定了。

刻蚀气体的选择性搞定了。

循环参数的窗口搞定了。

钝化层和刻蚀步骤之间的切换节奏也他妈的也搞定了。

全搞定了！

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